买入1：高盛（中国）证券上海浦东新区世纪大道 【量化基金】
买入金额：638万，卖出金额： 0万
净买入：638万

买入2：瑞银证券上海浦东新区花园石桥路第二
买入金额：616万，卖出金额： 0万
净买入：616万

买入3：长城证券南京童卫路
买入金额：562万，卖出金额： 0万
净买入：562万

买入4：中信证券上海分公司
买入金额：513万，卖出金额： 0万
净买入：513万

买入5：国泰君安证券总部 【量化基金】
买入金额：407万，卖出金额： 0万
净买入：407万

卖出1：东北证券绍兴金柯桥大道
买入金额：0万，卖出金额： 507万
净买入：-507万

卖出2：高盛（中国）证券上海浦东新区世纪大道 【量化基金】
买入金额：0万，卖出金额： 459万
净买入：-459万

卖出3：瑞银证券上海浦东新区花园石桥路第二
买入金额：0万，卖出金额： 448万
净买入：-448万

卖出4：光大证券证券投资部
买入金额：0万，卖出金额： 406万
净买入：-406万

卖出5：华泰证券总部 【量化基金】
买入金额：0万，卖出金额： 401万
净买入：-401万

炒作原因：第三代半导体+功率器件+功率IC
1、在第三代半导体方面，公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。
3、在功率器件方面，公司产品以高压平面MOSFET为主，并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品。
3、在功率IC方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。
4、公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，已与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700VSiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。
（更新时间：2024-12-20）