买入1：甬兴证券杭州金城路
买入金额：1825万，卖出金额： 0万
净买入：1825万

买入2：国泰君安证券上海号文路 【湖里大道】
买入金额：1244万，卖出金额： 0万
净买入：1244万

买入3：国泰君安证券河源越王大道 【越王大道】
买入金额：1244万，卖出金额： 0万
净买入：1244万

买入4：申港证券江苏分公司
买入金额：1128万，卖出金额： 0万
净买入：1128万

买入5：万和证券北京分公司
买入金额：1128万，卖出金额： 0万
净买入：1128万

卖出1：南京证券连云港通灌南路
买入金额：0万，卖出金额： 2128万
净买入：-2128万

卖出2：中国银河证券北京中关村大街 【竞价抢筹】
买入金额：0万，卖出金额： 880万
净买入：-880万

卖出3：国泰君安证券郑州黄河路
买入金额：0万，卖出金额： 757万
净买入：-757万

卖出4：中国银河证券绍兴 【赵老哥】
买入金额：0万，卖出金额： 637万
净买入：-637万

卖出5：中国银河证券厦门嘉禾路
买入金额：0万，卖出金额： 568万
净买入：-568万

炒作原因：第三代半导体+功率器件+功率IC
1、在第三代半导体方面，公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。
3、在功率器件方面，公司产品以高压平面MOSFET为主，并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品。
3、在功率IC方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。
4、公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，已与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700VSiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。
（更新时间：2024-12-20）