东芯股份 688110 涨停(异动)原因

《 东芯股份 688110 》

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东芯股份 688110 涨停(异动)原因

1、东芯股份 688110
存储芯片+拟回购+汽车电子
1、公司聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,是中国大陆少数可同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案的企业,国内SLC NAND占比超50%。公司19nm NAND Flash完成首轮晶圆流片,大容量NOR实现样品供货,已有产品通过AEC-Q100的认证。车规级存储产品的导入。
2、2024年10月20日晚公告,公司控股股东东方恒信拟自2024年10月21日起6个月内增持公司股份,增持总金额不低于2.0亿元且不超过2.4亿元。
3、公司的产品在网络通讯领域有较为广泛的应用,包括5G宏基站、微基站、光猫、WiFi、随身的Mifi等。
4、汽车电子成为中小容量NANDFlash重要驱动力量,公司设计研发的24nmNAND、48nmNOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程,实现了国内闪存芯片的技术突破。
(2024-10-21)

2、东芯股份 688110
存储芯片+汽车电子+拟回购
1、公司聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,是中国大陆少数可同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案的企业,国内SLC NAND占比超50%。公司19nm NAND Flash完成首轮晶圆流片,大容量NOR实现样品供货,已有产品通过AEC-Q100的认证。车规级存储产品的导入。
2、2023年5月11日公告,公司拟股份回购股份用于员工持股及激励计划,回购股份不超过40元/股,资金总额在1-2亿元,占总股本0.57%-1.13%。
3、2023年3月28日互动,公司的产品在网络通讯领域有较为广泛的应用,包括5G宏基站、微基站、光猫、WiFi、随身的Mifi等。
4、汽车电子成为中小容量NANDFlash重要驱动力量,公司设计研发的24nmNAND、48nmNOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程,实现了国内闪存芯片的技术突破。
(2024-10-08)

3、东芯股份 688110
存储芯片+汽车电子+拟回购
1、公司聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,是中国大陆少数可同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案的企业,国内SLC NAND占比超50%。公司19nm NAND Flash完成首轮晶圆流片,大容量NOR实现样品供货,已有产品通过AEC-Q100的认证。车规级存储产品的导入。
2、2023年5月11日公告,公司拟股份回购股份用于员工持股及激励计划,回购股份不超过40元/股,资金总额在1-2亿元,占总股本0.57%-1.13%。
3、2023年3月28日互动,公司的产品在网络通讯领域有较为广泛的应用,包括5G宏基站、微基站、光猫、WiFi、随身的Mifi等。
4、汽车电子成为中小容量NANDFlash重要驱动力量,公司设计研发的24nmNAND、48nmNOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程,实现了国内闪存芯片的技术突破。
(2023-05-19)

4、东芯股份 688110
存储芯片+汽车电子+拟回购
1、公司聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,是中国大陆少数可同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案的企业,国内SLC NAND占比超50%,主要产品NANDFlash是一种非易失性存储芯片,广泛应用于电子资料存储、通讯设备等领域。公司19nm NAND Flash完成首轮晶圆流片,大容量NOR实现样品供货,已有产品通过AEC-Q100的认证。车规级存储产品的导入。
2、23年5月10日盘后公司公告,公司拟股份回购股份用于员工持股及激励计划,回购股份不超过40元/股,资金总额在1-2亿元,占总股本0.57%-1.13%。
3、23年3月28日互动表示,公司的产品在网络通讯领域有较为广泛的应用,包括5G宏基站、微基站、光猫、WiFi、随身的Mifi等。
4、汽车电子成为中小容量NANDFlash重要驱动力量,公司设计研发的24nmNAND、48nmNOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程,实现了国内闪存芯片的技术突破。
(2023-05-16)

5、东芯股份 688110
拟回购+存储芯片+汽车电子
1、23年5月10日盘后公司公告,公司拟股份回购股份用于员工持股及激励计划,回购股份不超过40元/股,资金总额在1-2亿元,占总股本0.57%-1.13%。
2、公司聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,是中国大陆少数可同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案的企业,国内SLC NAND占比超50%,主要产品NANDFlash是一种非易失性存储芯片,广泛应用于电子资料存储、通讯设备等领域。进度上,公司19nm NAND Flash完成首轮晶圆流片,大容量NOR实现样品供货。
3、23年3月28日互动表示,公司的产品在网络通讯领域有较为广泛的应用,包括5G宏基站、微基站、光猫、WiFi、随身的Mifi等。
4、汽车电子成为中小容量NANDFlash重要驱动力量,公司设计研发的24nmNAND、48nmNOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程,实现了国内闪存芯片的技术突破。
(2023-05-11)

6、东芯股份 688110
存储芯片+汽车电子
1、公司聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,是中国大陆少数可同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案的企业,国内SLC NAND占比超50%,主要产品NANDFlash是一种非易失性存储芯片,广泛应用于电子资料存储、通讯设备等领域。
2、23年3月28日互动表示,公司的产品在网络通讯领域有较为广泛的应用,包括5G宏基站、微基站、光猫、WiFi、随身的Mifi等。
3、汽车电子成为中小容量NANDFlash重要驱动力量,公司设计研发的24nmNAND、48nmNOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程,实现了国内闪存芯片的技术突破。
(2023-04-03)

7、东芯股份 688110
存储芯片+汽车电子
1、公司聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,主要产品为NANDFlash等;NANDFlash是一种非易失性存储芯片,广泛应用于电子资料存储、通讯设备等领域。
2、23年3月28日互动易回复,公司的产品在网络通讯领域有较为广泛的应用,包括5G宏基站、微基站、光猫、WiFi、随身的Mifi等。
3、汽车电子成为中小容量NANDFlash重要驱动力量,公司设计研发的24nmNAND、48nmNOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程,实现了国内闪存芯片的技术突破。
(2023-03-30)

8、东芯股份 688110
一季报增长+型存储芯片+汽车电子
1、22年4月28日晚公告,2022年一季度公司实现营业收入3.44亿元,同比增长82.86%,净利润1.10亿元,同比增长216.92%
2、公司聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,主要产品为,NANDFlash、NORFlash、DRAM等;NANDFlash是一种非易失性存储芯片,具有存储容量大、写入/擦除速度快等特点,被广泛应用于电子资料存储、通讯设备、消费电子、汽车电子等领域。
3、汽车电子成为中小容量NANDFlash重要驱动力量,公司设计研发的24nmNAND、48nmNOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程,已达到可量产水平,实现了国内闪存芯片的技术突破;(详细解析请查阅,21年12月9日异动解析)
(2022-04-29)

9、东芯股份 688110
小容量通用型存储芯片,汽车电子带来增量
1、主营业务:公司聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,主要产品为,NANDFlash(占比51%)、NORFlash(19%)、DRAM(7%)、MCP(21%);
NANDFlash是一种非易失性存储芯片,具有存储容量大、写入/擦除速度快等特点,被广泛应用于电子资料存储、通讯设备、消费电子、汽车电子等领域。
2、核心看点:
1)公司是中国大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司,并能为优质客户提供芯片定制开发服务。设计研发的24nmNAND、48nmNOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程,已达到可量产水平,实现了国内闪存芯片的技术突破。
2)公司产品不仅在高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等多家知名平台厂商获得认证,同时已进入三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系,被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品。
3)汽车电子成为中小容量NANDFlash重要驱动力量。随着汽车智能化正迎来快速发展时期,ADAS作为汽车智能化变革中的一项关键技术;NANDFlash相比NORFlash单位成本具有优势,能够为较大容量车规闪存提供良好的解决方案。根据Gartner的数据显示,2019年全球ADAS中的NANDFlash存储消费2.2亿GB,同比增长300%。由于智能汽车领域的快速发展,预计至2024年,全球ADAS领域的NANDFlash存储消费将达41.5亿GB,2019-2024年复合增速达79.8%。
3、行业分析:
1)市场规模:
a、2018年我国存储芯片市场规模为5,775亿元,同比增长34.18%,预计2023年国内存储芯片市场规模将达6,492亿元。然而中国存储芯片的自给率仅15.70%,比整体集成电路的自给率更低,令中国存储芯片自主可控的需求更为迫切。
b、根据Gartner数据统计,2019年SLCNAND全球市场规模达到16.71亿美元,预计2019年至2024年SLCNAND全球市场份额预计复合增长率将达到6%,
2)存储芯片分类:
存储芯片市场主要包括DRAM、NANDFlash和NORFlash三种产品。根据中国产业信息网,在2019年全球集成电路存储芯片市场中,DRAM是存储芯片领域最大细分市场,占存储市场规模的比例高达58%,NANDFlash约占40%左右的市场份额,NORFlash占据1%的整体市场份额。
3)格局:根据Gartner统计,2019年全球NANDFlash市场中,前五大厂商占据绝对的领先地位,合计约占据95%的市场份额。
4、竞争对手:华邦电子、旺宏电子、兆易创新、芯天下、复旦微、赛普拉斯;
5、主要募投项目:公司实际募集资金总额30.6亿元。拟投资3.9亿,用于1xnm闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目;
6、数据一览:
(1)2018-2020年,公司营业收入分别为5.10、5.14、7.84亿元,复合增长率为24.0%;归母净利润分别为-0.22、-0.64、0.20亿元,2020年扭亏。2018-2020年公司毛利率分别为22.28%、15.00%、22.01%。发行价格30.18元/股,发行PE760.38,行业PE101.94,发行流通市值25.59亿,总市值133亿。
(2)公司预计2021年收入为11至11.5亿元,同比增长40.25%至46.63%;归母净利润为2.25至2.4亿元;(资料来自公司官网、招股说明书)
(2021-12-10)

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