买入1：中信证券上海溧阳路 【上海溧阳路】
买入金额：1336万，卖出金额： 0万
净买入：1336万

买入2：中国银河证券北京中关村大街 【竞价抢筹】
买入金额：681万，卖出金额： 0万
净买入：681万

买入3：国泰君安证券郑州黄河路
买入金额：637万，卖出金额： 0万
净买入：637万

买入4：中国银河证券厦门嘉禾路
买入金额：468万，卖出金额： 0万
净买入：468万

买入5：财通证券杭州上塘路 【上塘路】
买入金额：449万，卖出金额： 0万
净买入：449万

卖出1：财通证券杭州上塘路 【上塘路】
买入金额：0万，卖出金额： 2801万
净买入：-2801万

卖出2：长城证券西安锦业路
买入金额：0万，卖出金额： 1390万
净买入：-1390万

卖出3：财通证券杭州体育场路 【上塘路】
买入金额：0万，卖出金额： 833万
净买入：-833万

卖出4：中信建投证券衡阳解放西路
买入金额：0万，卖出金额： 591万
净买入：-591万

卖出5：东方财富证券拉萨团结路第一
买入金额：0万，卖出金额： 456万
净买入：-456万

炒作原因：第三代半导体+功率器件+功率IC
1、在第三代半导体方面，公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。
3、在功率器件方面，公司产品以高压平面MOSFET为主，并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品。
3、在功率IC方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。
4、公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，已与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700VSiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。
（更新时间：2024-12-20）