查看研报：买入1、增持0、利润1.13亿、利润增181.47%

东微半导 核心题材：
IGBT+逆变器+第三代半导体+充电桩
1、公司加大IGBT大功率单管产品研发投入力度，拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景，并配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车主驱的客户导入、产品验证工作。
2、公司独创结构的Tri-gate IGBT新型功率器件由中小功率产品拓展至大功率产品方向研发应用，尤其在电站用逆变器细分场景获得终端客户的认可并被选用，性能超越国际大厂，在高端应用领域实现国产替代。
3、公司在第三代半导体研发及产业化方面进行了提前布局，在SiC二极管、SiC MOSFET及Si2C MOSFET器件上取得了较大的研发进展。
4、新能源汽车及直流充电桩领域是公司的重点拓展方向。
（更新时间：2024-10-08）

题材要点：
要点一：拟购买苏州电征科技有限公司54.55%股权
苏州东微半导体股份有限公司 ( 688261.SH ) 计划购买苏州电征科技有限公司54.55%股权。该事项进度为进行中。公司近年来积极拓展功率模块领域，电征科技专注于算力服务器电源和新能源功率模块的研发、生产和销售，通过本次收购，有利于公司加快推进重点产品线的扩充和延伸，推动双方优势资源整合，符合公司整体发展战略规划，有利于增强公司的整体竞争力。

要点二：高性能功率器件研发与销售
东微半导公司是一家专注于高性能功率器件研发与销售的半导体企业，主要从事高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT、SiC MOSFET及Si2C MOSFET等产品的生产和销售。公司在超级结MOSFET领域拥有多项行业领先的专利技术，产品技术指标达到国际水平。其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子等领域，尤其是在新能源汽车、光伏逆变及储能、5G基站电源等工业级和汽车级市场中表现突出。报告期内，车规级和工业级领域的营业收入占比超过76%，显示出这些领域对公司整体营收的重要性。公司不断通过技术创新和产品性能提升来满足市场需求，并积极扩展产品规格及终端客户群体。

要点三：高压超级结MOSFET
东微半导公司在高压超级结MOSFET领域积累了优化电荷平衡技术等专利，产品技术指标达国际水平。该产品在报告期内实现营业收入4.69亿元，较上年同期增长40.36%，在数据中心服务器电源等领域继续保持增长。

要点四：中低压屏蔽栅MOSFET
公司中低压屏蔽栅MOSFET产品具备竞争力，广泛应用于汽车、工业及消费电子设备领域。报告期内，该产品实现营业收入1.18亿元，较上年同期增长62.14%，显示出其在市场中的稳定需求和增长潜力。

要点五：SiC器件
东微半导公司在SiC器件领域取得显著进展，SiC MOSFET产品已实现量产。报告期内，SiC器件产品（含Si2C MOSFET）实现营业收入34.91万元，较上年同期增长5.24%，显示出其在高性能应用领域的快速发展和市场认可。

要点六：产品应用领域
公司产品在汽车、工业、消费等领域均衡发展，车规级、工业级领域收入占比逾76%。主要应用于光伏逆变及储能、新能源汽车充电、5G基站电源、数据中心等，满足高性能和高可靠性需求，推动公司市场拓展。

要点七：TGBT
公司的TGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化。报告期内，公司Tri-gate IGBT产品实现营业收入2,066.61万元,较上年同期增长88.62%。

要点八：超级硅MOSFET
公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。报告期内，超级硅MOSFET产品实现营业收入168.89万元，较上年同期增长18.15%。

要点九：功率模块
公司的超级结MOSFET塑封模块，在液冷式算力服务器电源领域取得了量产突破；车载OBC领域公司布局了全系列塑封模块，包括超级结MOSFET、TGBT以及SiC MOSFET主力产品线平台，为400V和800V平台新能源汽车OBC提供整套功率模块解决方案。报告期内，公司功率器件模块产品实现营业收入610.96万元。

要点十：超级结MOSFET技术先锋
东微半导公司是一家专注于高性能功率器件研发与销售的技术驱动型半导体企业，处于计算机、通信和其他电子设备制造业中的功率半导体分立器件细分领域。公司凭借多年的技术优势和产业链结合能力，已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。其在超级结MOSFET领域积累了多项行业领先的专利技术，产品技术指标达到国际水平。公司产品广泛应用于汽车、工业、消费等领域，特别是在车规级和工业级市场具有较高的市场份额。公司在光伏逆变及储能、新能源汽车充电设备等领域的产品表现出色，具有广阔的进口替代空间。